芬兰阿尔托大学的研究团队近日宣布，在红外传感器技术方面取得了关键性进展。他们成功开发出一种新型的光电二极管，该器件采用锗材料制成，其灵敏度相较于现有的锗基传感器提升了35%。这一创新成果不仅有望推动红外设备在性能、成本和效率上的全面提升，还能显著减少对环境和健康的潜在威胁。相关研究成果已在《光：科学与应用》期刊上发表。

光电二极管作为一种能将光信号转换为电信号的传感器，在日常生活中扮演着重要角色。无论是电视遥控器、空调遥控器，还是心率监测设备、条形码扫描仪、运动传感器和烟雾探测器，都离不开光电二极管的支持。然而，目前市场上广泛使用的红外光电二极管传感器主要采用铟镓砷（InGaAs）材料，这不仅成本高昂，还存在毒性和致癌风险，给环境和人体健康带来了不小的隐患。InGaAs材料与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺不兼容，这在一定程度上限制了其应用范围的拓展。

为了打破这一困境，阿尔托大学的研究团队将目光转向了锗材料。锗不仅具备InGaAs和胶体量子点的诸多优点，更重要的是，它能够与CMOS工艺完美兼容。然而，尽管锗材料具有诸多优势，但由于其无法有效捕捉大部分红外光，长期以来一直未能成为主流的光电二极管材料。针对这一难题，研究团队通过一系列创新方法，成功克服了锗材料在红外光捕捉方面的限制。

据研究团队介绍，他们通过结合多种新颖技术，实现了高性能的锗基光电二极管。其中，利用表面纳米结构消除光学损耗，并最大限度地减少电学损耗，是提升器件性能的关键所在。为了验证新型锗基光电二极管的性能，研究团队还开发了一款概念验证设备，并进行了不同波长下捕捉红外光子的能力测试。结果显示，该设备的性能远超预期，光谱响应率接近理想水平，能够在宽波长范围内检测到约90%的光子。

在响应率（灵敏度）方面，该设备也展现出了卓越的性能，优于目前商用的InGaAs光电二极管以及此前其他锗基传感器。这一创新成果不仅为红外传感器技术的发展开辟了新的道路，也为减少InGaAs传感器对环境的负面影响提供了可能。

研究团队表示，他们将继续深化对锗基光电二极管的研究，优化器件性能，推动其在实际应用中的广泛推广。同时，他们也希望这种高效且环保的红外传感器能够尽快投入市场，为人们的生活带来更多便利和保障。

新型锗基光电二极管的成功开发，不仅体现了阿尔托大学研究团队在红外传感器技术领域的深厚实力，也彰显了他们在材料科学和纳米技术方面的卓越创新能力。这一成果不仅有望推动红外传感器技术的快速发展，也为其他相关领域的研究提供了有益的借鉴和启示。

随着新型锗基光电二极管的不断推广和应用，相信在不久的将来，我们将能够享受到更加高效、环保、安全的红外传感器产品，为我们的生活和工作带来更多便利和惊喜。